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精華 我科學家最新發(fā)明“熱發(fā)射極”晶體管,功耗降低、性能提升!

本帖最后由 編輯 于11 個月前編輯 只看Ta 樓主

眾所周知,晶體管作為集成電路的基石元素,在當代科技發(fā)展中占據著不可或缺的地位。其核心功能在于調控由電子或空穴等載流子構成的電流強度。在常規(guī)狀態(tài)下,這些載流子與周遭環(huán)境維持著熱平衡,即所謂的“穩(wěn)態(tài)”。然而,通過電場加速等創(chuàng)新手段,能夠激發(fā)載流子至更高能態(tài),轉化為“熱載流子”,展現出非凡的潛力。

針對這一高能狀態(tài)的有效操控與濃度提升,預示著晶體管性能與速度的飛躍性進展。近期,我國科研團隊在這一領域取得了突破性成就——中國科學院金屬研究所成功研發(fā)出一種基于石墨烯等先進材料的新型“熱發(fā)射極”晶體管,該晶體管通過獨特的“受激發(fā)射”機制生成熱載流子,不僅顯著降低了功耗,還賦予了晶體管“負電阻”的非凡特性,為構建更高集成度、功能更全面的電路系統(tǒng)提供了可能。

這一創(chuàng)新設計巧妙融合了雙耦合的“石墨烯/鍺”肖特基結,實現了載流子從石墨烯基極的高效注入與至發(fā)射極的擴散,進而在電場作用下激發(fā)產生熱載流子,促使電流激增。尤為引人注目的是,該晶體管在性能上實現了對玻爾茲曼極限(60 mV/dec)的超越,達到了低于1 mV/dec的亞閾值擺幅,標志著能效與調控精度的雙重飛躍。

此外,在室溫條件下,該晶體管展現出了超過100的峰谷電流比負微分電阻特性,這一發(fā)現為探索多值邏輯計算等前沿領域開辟了新途徑,預示著計算能力的進一步拓展與智能化水平的提升。

綜上所述,我國科學家在熱載流子晶體管領域的這一創(chuàng)舉,不僅豐富了晶體管家族的多樣性,更為未來低功耗、多功能集成電路的發(fā)展鋪設了堅實的基石,預示著信息技術新時代的加速到來。

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